IC芯片粘接剂导电胶EXBOND 835C

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EXBOND 835C

简要描述：IC芯片粘接剂导电胶EXBOND 835C专门设计设计用于 IC 芯片粘接剂，适合用于高速点胶设备；优异的流变特性，不会在点胶过程中出现拖尾或者拉丝现象。产品描述专门设计设计用于 IC 芯片粘接剂，适合用于高速点胶设备；优异的流变特性，不会在点胶过程中出现拖尾或者拉丝现象。特性高触变性，适合高速点胶。

机器品牌

本诺

设备产地

上海

设备型号

835C

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IC芯片粘接剂导电胶EXBOND 835C，专门设计设计用于 IC 芯片粘接剂，适合用于高速点胶设备；优异的流变特性，不会在点胶过程中出现拖尾或者拉丝现象。

特性

高触变性，适合高速点胶。

固化前性能	EXBOND 835C	测试方法及条件
填料类型	银
粘度	9K+CP	Brookfield CP51@5rpm, 25℃
触变指数	>4	0.5 rpm 粘度/5 rpm 粘度
工作时间	> 24hours	25℃，粘度增加 25%
有效期	1 year	-40℃储存

固化条件	EXBOND 835C	测试方法及概述
推荐固化条件	3-5℃/min 升温至 175℃+60 min@175℃ （渐进升温可减少气泡产生并增加粘接强度）
可选固化条件	60 min@175℃或 120 min@150℃

固化后性能	EXBOND 835C	测试方法及概述
离子含量	氯离子<20 ppm; 钠离子<10 ppm; 钾离子<10 ppm	萃取水溶液法：5 g 样品/100 筛网，50 g去离子水，100℃，24 hr
玻璃化转变温度	150℃	TMA 穿刺模式
热膨胀系数	Tg 以下 40 ppm/℃ Tg 以上 140 ppm/℃	TMA 膨胀模式
热失重	0.30%	TGA，RT～300℃
热传导系数	>2 W/ m•K	激光闪射法，121℃
体积电阻率	<10-4 Ω•cm	4 点探针法
芯片剪切强度	25℃ 25 kgf/die 260℃ 1.0 kgf/di	3 mm×3 mm 硅片 Ag/Cu 引线框架

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本文标签：导电胶

荣州实业

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