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EXBOND 835C
EXBOND 835C

EXBOND 835C

品牌:本诺

型号:835C

产地:上海

IC芯片粘接剂导电胶EXBOND 835C专门设计设计用于 IC 芯片粘接剂,适合用于高速点胶设备;优异的流变特性,不会在点胶过程中出现拖尾或者拉丝现象。产品描述专门设计设计用于 IC 芯片粘接剂,适合用于高速点胶设备;优异的流变特性,不会在点胶过程中出现拖尾或者拉丝现象。特性高触变性,适合高速点胶。

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IC芯片粘接剂导电胶EXBOND 835C,专门设计设计用于 IC 芯片粘接剂,适合用于高速点胶设备;优异的流变特性,不会在点胶过程中出现拖尾或者拉丝现象。

特性

高触变性,适合高速点胶。

固化前性能EXBOND 835C测试方法及条件
填料类型
粘度9K+CPBrookfield CP51@5rpm, 25℃
触变指数>40.5 rpm 粘度/5 rpm 粘度
工作时间> 24hours25℃,粘度增加 25%
有效期1 year-40℃储存
固化条件EXBOND 835C测试方法及概述
推荐固化条件3-5℃/min 升温至 175℃+60 min@175℃ (渐进升温可减少气泡产生并增加粘接强度)
可选固化条件60 min@175℃或 120 min@150℃
固化后性能EXBOND 835C测试方法及概述
离子含量氯离子<20 ppm;  钠离子<10 ppm;  钾离子<10 ppm萃取水溶液法:5 g 样品/100 筛网,50 g去离子水,100℃,24 hr
玻璃化转变温度150℃TMA 穿刺模式
热膨胀系数

Tg 以下 40 ppm/℃

Tg 以上 140 ppm/℃

TMA 膨胀模式
热失重0.30%TGA,RT~300℃
热传导系数>2 W/ m•K激光闪射法,121℃
体积电阻率<10-4 Ω•cm4 点探针法
芯片剪切强度

25℃ 25 kgf/die  

260℃ 1.0 kgf/di

3 mm×3 mm 硅片

Ag/Cu 引线框架

本文标签: 导电胶